Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdiode. Produktionsdatum: 2014/22. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 0.5uA. MRT (min): 1nA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOD-523. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: .W. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 45. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 46. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: unabhängig. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 47 s. Anzahl der Terminals: 4. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V

Vorwärtsstrom (AV): 250mA. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1.5us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode mit geringem Leckstrom. Hinweis: geringer Rückstrom. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V

VRRM: 70V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.07A. Diodentyp: Schottky. Durchlassspannung (max.): <1V / 0.015A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 100nA / 50V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 5ns. Serie: BAS

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schnell schaltende Schottky-Barrieredioden aus Glas. MRT (maximal): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V

VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Gehäuse: 10pF. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. VRRM: 30 v. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.80V / 0.1A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 2uA / 25V. Serie: BAS. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 2uA. Information: 0.2uA. MSL: 200mW. RoHS: ja. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V

Vorwärtsstrom (AV): 30mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. VRRM: 4 v. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Doppelt: NINCS. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Mischeranwendungen im VHF/UHF-Bereich. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 53s. MRT (maximal): 1.25uA. MRT (min): 0.25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 53s. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.2V

Vorwärtsstrom (AV): 130mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Mischeranwendungen im VHF/UHF-Bereich. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 54s. MRT (maximal): 1.25uA. MRT (min): 0.25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 54s. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.2V

Vorwärtsstrom (AV): 30mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. VRRM: 4 v. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Mischeranwendungen im VHF/UHF-Bereich. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 55s. MRT (maximal): 1.25uA. MRT (min): 0.25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 55s. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.2V

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. VRRM: 35V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: VHF/UHF-Band-Umschaltdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A2. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. VRRM: 35V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Halbleitermaterial: Sb. Funktion: VHF/UHF-Band-Schaltdiode 10 MHz. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AUs. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 120ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. RoHS: ja. Durchlassspannung Vf (min): 0.4V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 0.1uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: 750mAp t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 0.45V

Gehäuse: DO35. VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1V / 0.2A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: 0.5uA / 25V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 5ns. Serie: BAT4. MSL: n/a

Gehäuse: DO35. VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.33V / 2mA. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: 0.5uA / 25V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 5ns. Serie: BAT4. MSL: n/a

VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Cj: 6pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V

Vorwärtsstrom (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 40V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 10 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L4. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L42 oder V3. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L43 oder W1. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Vorwärtsstrom [A]: 0.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-Schottky-Diode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 1A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1uA..100uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. RoHS: ja. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L44 oder V4. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV