Standard- und Gleichrichterdioden

Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Cj: 2pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: VHF/UHF-Erkennung. Vorwärtsstrom (AV): 15mA. MRT (maximal): 0.2uA. RoHS: ja. Teilung: 4.5x2mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.41V. VRRM: 70V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Schottky-Diode. Menge pro Karton: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Cj: 2pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: VHF/UHF-Erkennung. Vorwärtsstrom (AV): 15mA. MRT (maximal): 0.2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SA. Abmessungen: 2.85x1.7x1.35mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.41V. VRRM: 70V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Schottky-Diode. Menge pro Karton: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Cj: 110pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 25A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 25A. MRT (maximal): 1.5mA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SL. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 450mW. Gehäuse: SOD-123. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.32V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Cj: 2.2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Ultrafast switching. Vorwärtsstrom (AV): 15mA. IFSM: 50mA. MRT (maximal): 0.2uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Betriebstemperatur: -60...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.41V. VRRM: 60V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Schaltende Schottky-Diode. Hinweis: f=1MHz 2.2pF. Hinweis: VHF/UHF-Erkennung

Cj: 4pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 300mA. IFSM: 4A. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Betriebstemperatur: 0...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 620mV. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 6.0x3.4mm ). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Ifsm 10Ap. Hinweis: Schaltmodus-Gleichrichter

Cj: 2pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 130mA. IFSM: 400mA. MRT (maximal): 0.5uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. VRRM: 80V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Cj: 3pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 100mA. IFSM: 500mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. VRRM: 80V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s)

Cj: 720pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 310A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V. Vrms: 45V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schottky Barrier Rectifier Diode. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: 920App / 5us. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode

Cj: 340pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 340A. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 15mA. MRT (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.19V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 150V. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Spec info: IFSM--Max

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Hinweis: 200App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. Hinweis: 200App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra-Fast Recovery. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 45A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 5.6x10mm ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Dioden-Tff (25 °C): 200 ns. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). MRT (maximal): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3JU. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD 8x6mm. Schwellenspannung Vf (max): 2V. VRRM: 600V

Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRT (maximal): 4.5mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: Gewindebefestigung. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+160°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 1600V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: Gewindebefestigung. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Montage/Installation: Gewindebefestigung. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)