Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BAS16LT-1

BAS16LT-1
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BAS16LT-1. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 6 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schaltdiode. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A6s, A6t. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6s. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 715mV. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 23:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 215mA. IFSM: 1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsschaltdiode. MRT (maximal): 0.5uA. MRT (min): 30nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6W. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 715mV
BAS16
Vorwärtsstrom (AV): 215mA. IFSM: 1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsschaltdiode. MRT (maximal): 0.5uA. MRT (min): 30nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6W. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 715mV
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