Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BAS16. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsschaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 215mA. IFSM: 1A. MRT (maximal): 0.5uA. MRT (min): 30nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6W. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 715mV. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 23:25.

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Cj: 2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 6 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A6s, A6t. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6s. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 715mV. VRRM: 75V
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