Stmicroelectronics BUZ72A N-Kanal Anreicherungs-Modus Leistungs-MOSFET-Transistor, TO-220AB, 100V Vd

Technische Produktbeschreibung (BUZ72A):

Spannung Vds(max): 100V. Idss (max): 250uA. ID (T=25°C): 11A. ID (T=100°C): 7A. Einschaltwiderstand Rds On: 0,23 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220AB. Gehäuse: TO-220. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: PCB-Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Technologie: Anreicherungs-Modus Leistungs-MOSFET-Transistor. Max. Temperatur: +175°C. G-S Schutz: nein. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 44A. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 330pF. C(oss): 90pF. Trr Diode (Min.): 80 ns. Pd (Verlustleistung, Max): 70W. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4V.