Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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TIP110

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TIP110. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Hinweis: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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