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Toshiba

Toshiba RN1409 NPN Transistor mit Widerstand 50V 0.1A 0.2W SOT-23

Produktreferenz : RN1409
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Technische Produktbeschreibung (RN1409):

NPN+R Transistor RN1409 von Toshiba. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo: 50V. Kollektorstrom Ic: 0.1A. Verlustleistung Pd: 0.2W. Basiswiderstand Rb: 47K. Basis-Emitter-Widerstand Rbe: 22K. Halbleitermaterial: Si. C (out): 100 pF. Montage: Oberflächenmontage (SMD). Gehäuse: SOT-23 (TO-236). Anzahl pro Gehäuse: 1 Stück. Funktion: DTR. SMD-Code: XJ.