Transistoren

Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 47 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 25A. Ic(Impuls): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N120BND. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: IGBT-Transistor der NPT-Serie mit antiparalleler hyperschneller Diode. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.8V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Funktion: HA, hi-def. Hinweis: 0.2. Spec info: MONITOR

Menge pro Karton: 1. Funktion: HA, hi-def. Hinweis: 0.2. Spec info: MONITOR. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 47. Minimaler hFE-Gewinn: 29. Kollektorstrom: 7A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VCBO: 450V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 10V. Spec info: Epitaxialer Planartransistor

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 160...320. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126ML. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) HSB1109

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 160...320. Kollektorstrom: 3A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Spec info: NICHT isoliertes Gehäuse. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C(in): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75307D. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75307D. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AA ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3200pF. Kosten): 1170pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 105 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75344 G. Pd (Verlustleistung, max): 285W. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3200pF. Kosten): 1170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 105 ns. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75344 P. Pd (Verlustleistung, max): 285W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3790pF. Kosten): 810pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 145 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75645 P. Pd (Verlustleistung, max): 310W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3790pF. Kosten): 810pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 145 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75645 S. Pd (Verlustleistung, max): 310W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AB ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 850pF. Kosten): 465pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 58 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 76121D. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 45 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AA ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: HUF76145P3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 110 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 135 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 270W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorstrom: 15A. Hinweis: Dreiphasen-Wechselstrommotortreiber. Frequenz: 20kHz. Anzahl der Terminals: 24. Pd (Verlustleistung, max): 29W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 750 ns. Td(on): 600 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorstrom: 20A. Hinweis: Dreiphasen-Wechselstrommotortreiber. Frequenz: 20kHz. Anzahl der Terminals: 24. Pd (Verlustleistung, max): 29W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 650 ns. Td(on): 970 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Betriebstemperatur: -40...+100°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G03H1202. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 3A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 281 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. Maximaler Kollektorstrom (A): 9.9A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Transistortyp: IGBT-Transistor. Drain-Source-Spannung: 1200V. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. Gehäuse: TO-247AC

C(in): 4620pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Kollektorstrom: 140A. Ic(Impuls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G75H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 428W. RoHS: ja. Lieferzeit: KB. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 265 ns. Td(on): 31 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1165pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H15R1203. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 254W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 300 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.48V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.75V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1340pF. Kosten): 43pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Funktion: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20MR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 288W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 350 ns. Td(on): 260 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.55V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.75V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1500pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Inductive?cooking. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20R1353. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 405 ns. Td(on): 335 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1360pF. Kosten): 43pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Funktion: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20PR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 288W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1460pF. Kosten): 78pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Soft Switching Applications. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20T120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 178W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS