Transistoren

C(in): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FR9120N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 340pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK ( TO-252AA ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFR9220PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 340pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFRC20PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 500pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 137 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 6.5A. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Funktion: Niedrige Gate-Ladung (typisch 22 nC), niedriger Crss

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 5.8A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Advanced Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V

C(in): 1500pF. Kosten): 178pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 1000uA. IDss (min): 250uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 55V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: I-PAK. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFU024NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 17A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 4.3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 100V

C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 360pF. Kosten): 92pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor der dritten Generation. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-251AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFU420PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 33 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 360pF

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-251AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFU4620PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25.4 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1710pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 144W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 350pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 47 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 350pF. Kosten): 48pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 8A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 4.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFZ24NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZ24NS. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 370pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 700pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 57 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 29A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFZ34NPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 31 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C