Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC40K. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 25A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 140 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Maximaler Kollektorstrom (A): 84A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC40S. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 60A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 650 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Maximaler Kollektorstrom (A): 60.4k Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4BC40U. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 34 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC30FD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 31A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 42 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 230 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Maximaler Kollektorstrom (A): 60.4k Ohms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 920pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Kollektorstrom: 28A. Ic(Impuls): 58A. Ic(T=100°C): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 160 ns. Td(on): 60 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.21V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ultraschneller IGBT-Transistor. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC30KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 28A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 160 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Maximaler Kollektorstrom (A): 58A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC30S. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 34A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 540 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Maximaler Kollektorstrom (A): 68A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1100pF. Kosten): 73pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Funktion: ULTRA FAST. Kollektorstrom: 23A. Ic(Impuls): 92A. ID (T=100°C): 12A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRG4PC30UD. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 91 ns. Td(on): 40 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC30UD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 23A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 91 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Maximaler Kollektorstrom (A): 92A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 2200pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: TO-247AC. Konditionierungseinheit: Leiterplattendurchsteckmontage. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Kollektorstrom: 49A. Ic(Impuls): 84A. Ic(T=100°C): 27A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 230 ns. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 230 ns. Td(on): 63 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1600pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kollektorstrom: 42A. Ic(Impuls): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G4PC40K. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). Funktion: Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 1600pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Kollektorstrom: 42A. Ic(Impuls): 84A. Ic(T=100°C): 25A. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 53 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.6V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC40KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 42A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 53 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Maximaler Kollektorstrom (A): 84A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC40K. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 42A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 140 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Maximaler Kollektorstrom (A): 84A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 2100pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 34 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.72V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Ultraschnell, für hohe Betriebsfrequenzen von 8–40 kHz. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC40UD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 54 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1900pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 27 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC40W. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC50FD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 55 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 240 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Maximaler Kollektorstrom (A): 280A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC50F. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 31 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 240 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Maximaler Kollektorstrom (A): 280A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC50KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 52A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 63 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Maximaler Kollektorstrom (A): 104A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 3700pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Kollektorstrom: 55A. Ic(Impuls): 220A. Ic(T=100°C): 27A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 46 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.93V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 25. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(in): 6050pF. Kanaltyp: N. Funktion: „Schnellgeschwindigkeits-IGBT“. Kollektorstrom: 90A. Ic(Impuls): 360A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (Verlustleistung, max): 520W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 310 ns. Td(on): 42 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Kosten): 360pF. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PF50W. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 900V. Kollektorstrom Ic [A]: 51A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 29 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 29 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 900V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. Maximaler Kollektorstrom (A): 204A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PH20KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 11A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Maximaler Kollektorstrom (A): 22A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C