Transistoren

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMD-220. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: L640S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 150A. Leistung: 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0038 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 30V

C(in): 7660pF. Kosten): 2150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.004 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor, logisch pegelgesteuert. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 10315pF. Kosten): 1980pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 39 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 1372A. ID (T=100°C): 243A. ID (T=25°C): 343A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 375W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Gleichstrommotorantrieb, Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. Spec info: Logikpegelsteuerung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1077pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 9 ns. Td(on): 9.1ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 7660pF. Kosten): 2150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 740A. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 185A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.004 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Gehäuse: SUPER-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPER220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor, logisch pegelgesteuert. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 720A. ID (T=100°C): 126A. ID (T=25°C): 179A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 270W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.005 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Gehäuse: SUPER-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPER220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor, logisch pegelgesteuert. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SUPER-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLBA3803PPBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 179A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 59A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 270W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: td(on) 9.3ns, td(off) 17ns, Logic-Level Gate. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 1.7A. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): HVMDIP ( DIP-4 ). Spannung Vds(max): 60V

C(in): 870pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Verschiedenes: Dynamic dv/dt Rating. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): HVMDIP ( DIP-4 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Schnell schaltender Gate-Antrieb auf Logikebene. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRLD024PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 870pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 740pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Für Class-D-Audio optimierte Verstärkeranwendungen. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 2uA. Pd (Verlustleistung, max): 39W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 5.7 ns. Technologie: Digitaler Audio-HEXSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 660pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 57 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Für Class-D-Audio optimierte Verstärkeranwendungen. G-S-Schutz: Diode. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 93m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.5 ns. Technologie: Digitaler Audio-HEXSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -40...+170°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL014N. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 14 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 230pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FL024. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 18 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 510pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 0.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 16 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 250pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 530pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 3.1A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL2703. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 530pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL2703. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 6.9ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 530pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LL2705. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 3.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 870pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 1A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 0.47A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 2.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 110pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 740pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 4.2A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 1g. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 54 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 740pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C