Transistoren

C(in): 85pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 540mW. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: B. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 85pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.91A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3.9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 85pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 75pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 510pF. Kosten): 71pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 5uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code H. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.098 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 350 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 88pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.25W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: C. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 97pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.54W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.1V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 633pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.7A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 588 ns. Td(on): 350 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 20V. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 350 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 588 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 633pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23/6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Herstellerkennzeichnung: 2E. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1079pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 480pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR024NPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Produktserie: HEXFET. Polarität: MOSFET N. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 17A. Gate/Source-Spannung Vgs: 110m Ohms / 9A / 4V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -16V. Max: 45W. Gehäuse: DPAK. Montageart: SMD

C(in): 440pF. Kosten): 97pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR120NTRPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.185 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 880pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 75. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 76 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Gate-Antrieb auf Logikebene, schnelles Schalten. Spec info: niedriger Widerstand R-on 0,040 Ohm. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.027 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRLR2905PBF. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 42A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 110W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 1570pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 22ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Äquivalente: IRLR2905ZTRPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 11m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3980pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 34-51 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRLR3110ZPbF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: ±16. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 800pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, schnelles Schalten. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: LR3410. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 97W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

C(in): 2900pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 21ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 33 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 4380pF. Kosten): 940pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 39 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LR7843. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Funktion: Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5 V VGS, extrem niedrige Gate-Impedanz. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1030pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 17 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 6.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 9.4 ns. Td(on): 8.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Extrem niedrige Gate-Impedanz. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2150pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Äquivalente: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 4m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: Extrem niedrige Gate-Impedanz. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS