Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2905Z

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N-Kanal-Transistor, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2905Z. N-Kanal-Transistor, 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 11m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1570pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 22ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 240A. IDss (min): 20uA. Äquivalente: IRLR2905ZTRPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.

Technische Dokumentation

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N-Kanal-Transistor, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 21ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 360A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 33 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: NINCS
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