Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
Halbleiter Dioden
Überspannungsschutzdioden

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SMBJ78CA-E3-52

SMBJ78CA-E3-52

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Kom...
SMBJ78CA-E3-52
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 78V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 95.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 78V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 78V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 86.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 95.8V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 78V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Ko...
SMBJ8-0A-E3-52
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8.89V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 9.83V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 50uA @ 8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 8.89V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 9.83V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 50uA @ 8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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SMBJ9V0A

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte...
SMBJ9V0A
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 9V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 9V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte ...
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 9V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 10V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 11.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 9V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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SMCJ1-5KE6-8A-TP

SMCJ1-5KE6-8A-TP

RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). ...
SMCJ1-5KE6-8A-TP
RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.8V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.45V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.14V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5.8V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
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SMCJ12A

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: 1.5SMCJ12A. Durc...
SMCJ12A
Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: 1.5SMCJ12A. Durchbruchspannung: 12V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Äquivalente: 1.5SMCJ12A. Durchbruchspannung: 12V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 13V. Pd (V...
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 13V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 13V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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SMCJ14A

SMCJ14A

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 14V. Pd (V...
SMCJ14A
Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 14V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
SMCJ14A
Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 14V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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SMCJ15A-E3-57T

SMCJ15A-E3-57T

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse...
SMCJ15A-E3-57T
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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SMCJ15CA-E3-57T

SMCJ15CA-E3-57T

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Ko...
SMCJ15CA-E3-57T
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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SMCJ16CA

Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 16V. Pd (Ve...
SMCJ16CA
Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 16V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 2
SMCJ16CA
Dielektrische Struktur: bidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 16V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 2
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SMCJ18A

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms...
SMCJ18A
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
SMCJ18A
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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SMCJ18CA

SMCJ18CA

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Ko...
SMCJ18CA
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
SMCJ18CA
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 18V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 20V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 22.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 18V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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SMCJ22A

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 22V. Pd (V...
SMCJ22A
Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 22V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 22V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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SMCJ24CA

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Ko...
SMCJ24CA
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 29.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
SMCJ24CA
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 29.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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SMCJ30A

SMCJ30A

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 30 v. Pd (...
SMCJ30A
Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 30 v. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
SMCJ30A
Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 30 v. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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SMCJ33CA-E3-57T

SMCJ33CA-E3-57T

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Ko...
SMCJ33CA-E3-57T
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 33V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
SMCJ33CA-E3-57T
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 36.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40.6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 33V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 36V. Pd (V...
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 36V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 36V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Ko...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). ...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.07V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 10V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.07V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 10V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte...
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). ...
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 6V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.7V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.05V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 2000uA @ 6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 6V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.7V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.05V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 2000uA @ 6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 6.8V. Pd (...
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 6.8V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung: 6.8V. Pd (Verlustleistung, max): 1500W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB ( 8.0x5.8mm ). Toleranz: 5%. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1
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