Überspannungsschutzdioden

RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 6V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6.67V @ 10mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.37V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1000uA @ 6V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 1500W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 130V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 144V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 158V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 2uA @ 130V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 3000W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-123FL. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 36V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 40V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 36V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 200W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 3.3V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 4.1V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 200uA @ 3.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -25°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 220V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 198V @ 2uA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 220V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Spannung: 17.5V. Funktion: 16K & 8KV ESD Protection, USB 2.0 Version. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L*4. Durchbruchspannung: 6V. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23-6. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23-6. Betriebstemperatur: -50...+125°C. Versorgungsspannung: 5V. Menge pro Karton: 7. Anzahl der Terminals: 6. Spec info: RailClamp® Low Capacitance TVS Diode Array

Dielektrische Struktur: unidirektional. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.7A. Durchbruchspannung: 82V. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 5x4mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: 200W (t=1ms)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMB. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 33.3V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: bidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 37.1V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 39.05V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 41V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 33.3V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 28.2V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 31.4V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 33.0V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 34.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 28.2V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 150W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: USB-Leitungsschutzentstörer (500 W bei 8/20us). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-553. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 5. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1nA @ 5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMAF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 12V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMAF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMAF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 29.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMAF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 48V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 53.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 58.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 48V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMAF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.0V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 800uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Hinweis: DO41 (3.7x4.5mm). Hinweis: Transildiode

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.25V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 5.25V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 500W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Komponentenfamilie: Überspannungsschutz-Transildiode für Datenleitung (500W @ 8/20us)

Spannung: 12V. Funktion: 8KV ESD Protection, USB 2.0 Version. Durchbruchspannung: 6V. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23-6. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23-6. Betriebstemperatur: -50...+125°C. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Clamping voltage--12V...17V