Überspannungsschutzdioden

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMAF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 12V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 13.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 14.7V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 12V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMAF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 15V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 16.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 18.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 15V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMAF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 24V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 26.7V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 29.5V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 24V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMAF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 48V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 53.3V @ 1mA. Ubr [V] bei Ibr [A]: 58.9V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 1uA @ 48V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMAF. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 453k Ohms. Ubr [V] bei Ibr [A]: 7.0V @ 10mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 800uA @ 5V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Hinweis: DO41 (3.7x4.5mm). Hinweis: Transildiode

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 5.25V. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: 6V @ 1mA. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 10uA @ 5.25V. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 500W @ 8/20us. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C. Komponentenfamilie: Überspannungsschutz-Transildiode für Datenleitung (500W @ 8/20us)

Spannung: 12V. Funktion: 8KV ESD Protection, USB 2.0 Version. Durchbruchspannung: 6V. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23-6. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23-6. Betriebstemperatur: -50...+125°C. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Clamping voltage--12V...17V