Unijunction-Transistoren

Unijunction-Transistor. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PUT.. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmierbarer Unijunction-Transistor

Unijunction-Transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bipolartransistor, einschichtig (PUT). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N6027G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C

Unijunction-Transistor. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PUT.. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmierbarer Unijunction-Transistor

Unijunction-Transistor. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: PUT.. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Betriebstemperatur: -50...+100°C. Spec info: Programmierbarer Unijunction-Transistor

Unijunction-Transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Bipolartransistor, einschichtig (PUT). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N6028G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 150mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +100°C