Verschiedene integrierte Schaltkreise

Hinweis: 62119-401-861 Samsung. Anzahl der Terminals: 64. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): SDIP-64

Hinweis: 62119-401-862 Samsung. Anzahl der Terminals: 56. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): SDIP-56

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Anzahl der Terminals: 64. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): SDIP-64

Anzahl der Terminals: 64. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): SDIP-64

Hinweis: 668-221D. Anzahl der Terminals: 64. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): SDIP-64

Anzahl der Terminals: 64. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SDIP. Gehäuse (laut Datenblatt): SDIP-64

Hinweis: GOLDSTAR 668-439C

Hinweis: Nur auf Bestellung. Anzahl der Terminals: 64. Gehäuse: DIP

Hinweis: DT-SYC-1

Hinweis: Rechteckform. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Hinweis: PANASONIC

Hinweis: HD6432197A16FX 1G1

Hinweis: IC601. Hinweis: SVM-9427-CP

Hinweis: SMD. Hinweis: SAMSUNG AC09-10456L

Hinweis: SF5500

Hinweis: N-Ch FET driver. Hinweis: 2,5 A Spitzenstrom-H-Brücken-FET-Treiber. Anzahl der Terminals: 20. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-20

Hinweis: N-Ch FET driver. Hinweis: 2,5 A Spitzenstrom-H-Brücken-FET-Treiber. Anzahl der Terminals: 20. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-20

Hinweis: N-Ch FET driver. Hinweis: 2,5 A Spitzenstrom-H-Brücken-FET-Treiber. Anzahl der Terminals: 20. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-20

Hinweis: N-Ch FET driver. Hinweis: 1,25 A Spitzenstrom-H-Brücken-FET-Treiber. Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16. Betriebstemperatur: -55...+125°C. VCC: 8.5...15V. Versorgungsspannung: 15V

Funktion: N-Ch 1.25A Peak Current H-Bridge FET Driver. Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-16

Hinweis: GV15B. Hinweis: HISO204A

Hinweis: kubisch. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: QFN32. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 24. Schaltungstyp: VCO. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: LFCSP6. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 6. Schaltungstyp: Verstärker. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C