Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IR2011S

IR2011S

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: ...
IR2011S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8
IR2011S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+/- 1.0A/1.0A. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8
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IR2102SPBF

IR2102SPBF

Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 210mA, Io- 360mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Tem...
IR2102SPBF
Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 210mA, Io- 360mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C
IR2102SPBF
Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 210mA, Io- 360mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C
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IR2103

IR2103

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Le...
IR2103
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
IR2103
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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IR2103S

IR2103S

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: ob...
IR2103S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
IR2103S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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IR2104S

IR2104S

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Instal...
IR2104S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
IR2104S
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io--130/270mA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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IR2106PBF

IR2106PBF

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150Â...
IR2106PBF
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V
IR2106PBF
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V
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IR2106S

IR2106S

Ausgangsspannung: 10V...20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja....
IR2106S
Ausgangsspannung: 10V...20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Io+ 200mA, Io- 350mA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 10...20V
IR2106S
Ausgangsspannung: 10V...20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Io+ 200mA, Io- 350mA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: 10...20V
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IR2109

IR2109

Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Tem...
IR2109
Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V
IR2109
Hinweis: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Hinweis: Io+ 200mA, Io- 350mA. Anzahl der Terminals: 8:1. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. VCC: 10...20V
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IR2110

IR2110

Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io +-2A 2.5A. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installa...
IR2110
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io +-2A 2.5A. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
IR2110
Hinweis: Vout 10V...20V. Hinweis: Io +-2A 2.5A. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
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IR2110S

IR2110S

Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Spec info: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Montage/Installation: o...
IR2110S
Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Spec info: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16
IR2110S
Anzahl der Terminals: 16. RoHS: ja. Spec info: Vout 10V...20V, Io 2A...2.5A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16
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IR2111

IR2111

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Vout 10V...20V, Io 200/420mA. Montage/Installation: ...
IR2111
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Vout 10V...20V, Io 200/420mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
IR2111
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Vout 10V...20V, Io 200/420mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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IR21363S

IR21363S

Funktion: MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber. Äquivalente: IR21363SPBF. Konfiguration: SMD. Anzahl der T...
IR21363S
Funktion: MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber. Äquivalente: IR21363SPBF. Konfiguration: SMD. Anzahl der Terminals: 28. Abmessungen: 18.1x7.6x2.33mm. Spec info: CMOS-IC, in einigen Waschmaschinen. Stromversorgung: 12...20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-28. Betriebstemperatur: -40...+125°C
IR21363S
Funktion: MOSFET- und IGBT-Gate-Treiber. Äquivalente: IR21363SPBF. Konfiguration: SMD. Anzahl der Terminals: 28. Abmessungen: 18.1x7.6x2.33mm. Spec info: CMOS-IC, in einigen Waschmaschinen. Stromversorgung: 12...20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-28. Betriebstemperatur: -40...+125°C
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IR2153

IR2153

Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Mo...
IR2153
Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
IR2153
Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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IR21531

IR21531

Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Voffset 600V, Vclamp 15.6V, Tr/Tp 80/40ns. Montage/I...
IR21531
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Voffset 600V, Vclamp 15.6V, Tr/Tp 80/40ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
IR21531
Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: Voffset 600V, Vclamp 15.6V, Tr/Tp 80/40ns. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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IR21531SPBF

IR21531SPBF

Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Äquivalente: IR21531STRPBF. Anzahl der...
IR21531SPBF
Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Äquivalente: IR21531STRPBF. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
IR21531SPBF
Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Äquivalente: IR21531STRPBF. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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IR2153S

IR2153S

Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Mo...
IR2153S
Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
IR2153S
Hinweis: Voffset 600V, Vclamp 15.6V. Hinweis: Tr/Tp 80/40ns. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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IR2155

IR2155

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Voffset 600V, Vout 10V...20V....
IR2155
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Voffset 600V, Vout 10V...20V. Hinweis: Io 210/420mA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: -0.3...625V
IR2155
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Hinweis: Voffset 600V, Vout 10V...20V. Hinweis: Io 210/420mA. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -40...+125°C. VCC: -0.3...625V
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IR2156

IR2156

Hinweis: Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchs...
IR2156
Hinweis: Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
IR2156
Hinweis: Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
Set mit 1
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IR21571S

IR21571S

Hinweis: Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 16. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bautei...
IR21571S
Hinweis: Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 16. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16
IR21571S
Hinweis: Vclamp 15.6V. Anzahl der Terminals: 16. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16
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IR2184

IR2184

Hinweis: Io +/-1.9/2.3A. Hinweis: Voffset 600V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Install...
IR2184
Hinweis: Io +/-1.9/2.3A. Hinweis: Voffset 600V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
IR2184
Hinweis: Io +/-1.9/2.3A. Hinweis: Voffset 600V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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IR21844

IR21844

Hinweis: Voffset 600V. Hinweis: Io +/-1.9/2.3A. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installa...
IR21844
Hinweis: Voffset 600V. Hinweis: Io +/-1.9/2.3A. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
IR21844
Hinweis: Voffset 600V. Hinweis: Io +/-1.9/2.3A. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
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IR21844S

IR21844S

Hinweis: Voffset 600V. Hinweis: Io +/-1.9/2.3A. Äquivalente: IR21844STRPBF. Anzahl der Terminals: 1...
IR21844S
Hinweis: Voffset 600V. Hinweis: Io +/-1.9/2.3A. Äquivalente: IR21844STRPBF. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14
IR21844S
Hinweis: Voffset 600V. Hinweis: Io +/-1.9/2.3A. Äquivalente: IR21844STRPBF. Anzahl der Terminals: 14. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-14
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IR2184S

IR2184S

Hinweis: Voffset 620V. Hinweis: SMD. Hinweis: Io +/-1.9/2.3A...
IR2184S
Hinweis: Voffset 620V. Hinweis: SMD. Hinweis: Io +/-1.9/2.3A
IR2184S
Hinweis: Voffset 620V. Hinweis: SMD. Hinweis: Io +/-1.9/2.3A
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IR2213PBF

IR2213PBF

Hinweis: Io +/-1.7A/2.0A. Hinweis: Vout 12V...20V. Anzahl der Terminals: 14. Pd (Verlustleistung, ma...
IR2213PBF
Hinweis: Io +/-1.7A/2.0A. Hinweis: Vout 12V...20V. Anzahl der Terminals: 14. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
IR2213PBF
Hinweis: Io +/-1.7A/2.0A. Hinweis: Vout 12V...20V. Anzahl der Terminals: 14. Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14
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IR2213SPBF

IR2213SPBF

Hinweis: Io +/-1.7A/2.0A. Hinweis: Vout 12V...20V. Anzahl der Terminals: 16. Pd (Verlustleistung, ma...
IR2213SPBF
Hinweis: Io +/-1.7A/2.0A. Hinweis: Vout 12V...20V. Anzahl der Terminals: 16. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16WP
IR2213SPBF
Hinweis: Io +/-1.7A/2.0A. Hinweis: Vout 12V...20V. Anzahl der Terminals: 16. Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16WP
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