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Vishay
Vishay SI2307CDS-T1-GE3 P-Kanal MOSFET -30V 2.7A SOT-23
Produktreferenz : SI2307CDS-T1-GE3
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.71 € | — |
| 30 – 99 | 0.41 € | -42% |
| 100 – 199 | 0.38 € | -46% |
| 200 – 499 | 0.34 € | -52% |
| 500 – 2999 | 0.32 € | -55% |
| 3000+Bestpreis | 0.32 € | -55% |
Technische Spezifikationen
6 Parameter| Parameter | Wert |
| Typ | MOSFET |
| Spannung | -30 V |
| Strom | 2.7 A |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Widerstand (RDSon) | 0.088 Ohm |
Technische Produktbeschreibung (SI2307CDS-T1-GE3):
Der SI2307CDS-T1-GE3 ist ein Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET von Vishay. Dieser P-POWERFET bietet -30V, 2.7A und einen RDSon von 0.088 Ohm in einem SOT-23-Gehäuse. Er eignet sich für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorsteuerungsanwendungen. Gekapselt in einem SOT-23-Gehäuse.<br><br>