Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

YG911S2

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YG911S2. Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Kunststoff. Hinweis: 0402-000491. Hinweis: 50Ap / 10ms. Originalprodukt vom Hersteller Samsung. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI, S
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MUR860

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VRRM: 600V. Gehäuse: TO-220AC. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 8A. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.5V / 8A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: <500uA / 600V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 60ns. Serie: MUR860
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VRRM: 600V. Gehäuse: TO-220AC. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 8A. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.5V / 8A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: <500uA / 600V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 60ns. Serie: MUR860
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