Zenerdioden

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Toleranz: 5%. VRRM: 3.9V. Zenerspannung: 3.9V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Teilung: 3.4x1.6mm. VRRM: 43V. Hinweis: SOD-80. Hinweis: SI-Z SMD

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 1uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Zenerspannung: 4.3V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zenerdiode. Produktionsdatum: 2014/45. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 0.5uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Zenerspannung: 4.7V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SI-Z SMD. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.1uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Zenerspannung: 5.6V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Produktionsdatum: 2014/44. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 6.8V. Zenerspannung: 6.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMD Zener Diode, 0.5W, 5%. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Toleranz: 5%. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. VRRM: 7.5V. Zenerspannung: 7.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80. VRRM: 9.1V. Zenerspannung: 9.1V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: 3.4x1.6mm. Hinweis: SI-Z SMD. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 0.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMA. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AC. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.6V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: 3W Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SMC. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-214AB. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 150V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 75V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 100 Ohms @ 5mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 100V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 11V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 8.2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 8 Ohms @ 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 13V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 10 Ohms @ 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 11V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 15mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 16V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 12V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 15 Ohms @ 15mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 13V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 15mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 2.7V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 150uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 80mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 22V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 16V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 18V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 27V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 22V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 8mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.0V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 100uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 80mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AL. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.6V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 20uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 60mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 1,3 W (25 °C), 5 %