Zenerdioden

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 22V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 35 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 33V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 24V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 36V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 27V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 39V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 28V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 50 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.3V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 75 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 4.7V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.5uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 43V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 30V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 60 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 47V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 33V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 70 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 51V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 39V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 125 Ohms @ 2.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.2V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 2V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-35. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 7.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 4 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 75V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 56V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 250 Ohms @ 2.5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AH. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 9.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 0,5 W (25 °C), 5 %. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 6.8V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 10 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Pd (Verlustleistung, max): 1W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.5x1.6mm ). Zenerspannung: 10V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3.5x1.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C

Pd (Verlustleistung, max): 1W. Gehäuse: DO213AA. Gehäuse (laut Datenblatt): DO213AA. Zenerspannung: 100V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3.5x1.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C

Pd (Verlustleistung, max): 1W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Zenerspannung: 12V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3.5x1.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C

Pd (Verlustleistung, max): 1W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.5x1.6mm ). Zenerspannung: 15V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3.5x1.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C

Pd (Verlustleistung, max): 1W. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.5x1.6mm ). Zenerspannung: 4.7V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 3.5x1.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+175°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 13V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 26 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 3.9V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 2uA @ 1V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 85 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: miniMELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOD80C. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 7.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 500 mW (0,5 W) Zenerdiode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 0.1uA @ 5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 0.82V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1W Zener Diode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 39V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1W Zener Diode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: MELF. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 5.1V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: 1W Zener Diode, Oberflächenmontierte Komponente (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 10uA @ 0.7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 100mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C