Zenerdioden

Vorwärtsstrom (AV): 130mA. Hinweis: M4 -Thread. Toleranz: 5%. VRRM: 8.2V

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 10V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. VRRM: 10V

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 100V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 100V

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 110V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 110V

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 12V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 120V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 13V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 130V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 130V

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 15V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 150V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Z150. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 150V

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 160V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 18V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 18V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 180V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 180V. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 90V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 120 Ohms @ 5mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Z200. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 22V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 24V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 24V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 27V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 27V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. VRRM: 27V

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 30 v. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 33V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 33V

Zenerspannung: 36V. Gehäuse: DO-15. Diodentyp: Zenerdiode. Leistung: 2W

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 39V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 47V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 47V

Pd (Verlustleistung, max): 2W. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zenerspannung: 5.6V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C

Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 56V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C