Zenerdioden

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 56V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 6.2V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Zenerspannung: 6.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 6.2V. Zenerspannung: 6.2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 62V. Zenerspannung: 62V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 68V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Zenerspannung: 7.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 8.2V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. VRRM: 8.2V. Zenerspannung: 8.2V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-204AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Zener-Durchbruchspannung Uz [V], nom.: 82V. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Zenerimpedanz Zzt[Ohm] bei Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: Zenerdiode, Leistung 2 W (25 °C), 5 %, ZY-Serie

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Toleranz: 5%. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 9.1V. Zenerspannung: 9.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation