Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

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1N5402. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.

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Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1.3 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V
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