Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

1N5402

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1N5402. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Standard-Gleichrichterdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 200A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.2V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 200V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10uA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Originalprodukt vom Hersteller Diotec. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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Gehäuse: DO-201. VRRM: 1000V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 3A. Diodentyp: ...
1N5408
Gehäuse: DO-201. VRRM: 1000V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 3A. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 3A. Montageart: THT. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. Serie: 1N54
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Gehäuse: DO-201. VRRM: 1000V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 3A. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 3A. Montageart: THT. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. Serie: 1N54
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BY255

BY255

VRRM: 1300V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27...
BY255
VRRM: 1300V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: ja. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
BY255
VRRM: 1300V. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: ja. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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1N5406

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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ...
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ...
1N5406H
Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Achsabstand 15mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5us. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Achsabstand 15mm. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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