Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC2275

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2SC2275. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

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