2SK3199
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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| 1 - 1 | 6.14€ | 7.37€ |
| 2 - 2 | 5.83€ | 7.00€ |
| 3 - 4 | 5.52€ | 6.62€ |
| 5 - 9 | 5.22€ | 6.26€ |
| 10 - 19 | 5.09€ | 6.11€ |
| 20 - 29 | 4.97€ | 5.96€ |
| 30+ | 4.79€ | 5.75€ |
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2SK3199. C(in): 650pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 2us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Äquivalente: FS5KM-10-AW. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: V-MOS (F). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F-3L. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.
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C(in): 515pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 46 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 15 nC, niedriger CrSS 6,5 pF. G-S-Schutz: NINCS
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