Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
0
Produktkategorien :
Audio
>
307
Automatisierung
>
19
Computer
>
56
Elektrischer Schutz
>
1131
Energie
>
1281
Freizeitelektronik
>
529
Gehäuse für Elektronik
>
1202
Halbleiter
>
14316
Kabel
>
1760
Kühlung
>
750
Mechanische Teile
>
423
Optoelektronik
>
1955
Passive Komponenten
>
10159
Relais
>
843
Reparieren
>
942
Schalter
>
926
Steckverbinder
>
5643
Transformatoren
>
547
Werkzeuge
>
1365
Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC182B

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC182B
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 9 0.19€ 0.23€
10 - 24 0.18€ 0.22€
25 - 49 0.17€ 0.20€
50 - 99 0.16€ 0.19€
100 - 249 0.15€ 0.18€
250 - 287 0.14€ 0.17€
Menge U.P
1 - 9 0.19€ 0.23€
10 - 24 0.18€ 0.22€
25 - 49 0.17€ 0.20€
50 - 99 0.16€ 0.19€
100 - 249 0.15€ 0.18€
250 - 287 0.14€ 0.17€
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Menge auf Lager : 287
Set mit 1

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC182B. NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 07:25.

Technische Dokumentation

Gleichwertige Produkte :

Menge auf Lager : 17443
BC546B

BC546B

NPN-Transistor, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Daten...
BC546B
NPN-Transistor, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BC546B
NPN-Transistor, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-92. Kosten): 6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Set mit 1
0.07€ inkl. MwSt
(0.06€ exkl. MwSt)
0.07€
Menge auf Lager : 7631
2N3904

2N3904

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Dat...
2N3904
NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. C(in): 8pF. Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxial-Planar-Die-Konstruktion“. Tf(max): 75 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten
2N3904
NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. C(in): 8pF. Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaxial-Planar-Die-Konstruktion“. Tf(max): 75 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten
Set mit 10
0.62€ inkl. MwSt
(0.52€ exkl. MwSt)
0.62€
Menge auf Lager : 235
BC637

BC637

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblat...
BC637
NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. C(in): 50pF. Kosten): 7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BC637
NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. C(in): 50pF. Kosten): 7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Set mit 10
1.54€ inkl. MwSt
(1.28€ exkl. MwSt)
1.54€
Menge auf Lager : 12873
BC546A

BC546A

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Daten...
BC546A
NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 90. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
BC546A
NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 90. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
Set mit 10
0.66€ inkl. MwSt
(0.55€ exkl. MwSt)
0.66€

Wir empfehlen außerdem :

Menge auf Lager : 13867
BC556B

BC556B

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, TO-226, 65V, 100mA, TO-92, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: T...
BC556B
[LONGDESCRIPTION]
BC556B
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0620€ inkl. MwSt
(0.0517€ exkl. MwSt)
0.0620€
Menge auf Lager : 39
IRFP150N

IRFP150N

N-Kanal-Transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25...
IRFP150N
[LONGDESCRIPTION]
IRFP150N
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.95€ inkl. MwSt
(2.46€ exkl. MwSt)
2.95€
Menge auf Lager : 16
IRFP9140N

IRFP9140N

P-Kanal-Transistor, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250mA. Gehäu...
IRFP9140N
[LONGDESCRIPTION]
IRFP9140N
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.84€ inkl. MwSt
(2.37€ exkl. MwSt)
2.84€
Menge auf Lager : 1086
BC556C

BC556C

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Dat...
BC556C
[LONGDESCRIPTION]
BC556C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.13€ inkl. MwSt
(0.11€ exkl. MwSt)
0.13€
Menge auf Lager : 95
TIP32C

TIP32C

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Daten...
TIP32C
[LONGDESCRIPTION]
TIP32C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.80€ inkl. MwSt
(0.67€ exkl. MwSt)
0.80€
Menge auf Lager : 67
TIP31C

TIP31C

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Daten...
TIP31C
[LONGDESCRIPTION]
TIP31C
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.76€ inkl. MwSt
(0.63€ exkl. MwSt)
0.76€
Menge auf Lager : 93
NJM4558D

NJM4558D

Funktion: Operationsverstärker. Hinweis: OP-IC. Hinweis: 158 series. Anzahl der Terminals: 8:1. RoH...
NJM4558D
[LONGDESCRIPTION]
NJM4558D
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.41€ inkl. MwSt
(2.01€ exkl. MwSt)
2.41€
Menge auf Lager : 17443
BC546B

BC546B

NPN-Transistor, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Daten...
BC546B
[LONGDESCRIPTION]
BC546B
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0708€ inkl. MwSt
(0.0590€ exkl. MwSt)
0.0708€
Menge auf Lager : 277
CCER470PF100V

CCER470PF100V

Kapazität: 470nF. Durchmesser: 6mm. Kondensatormaterial: Keramik. Teilung: 5mm. Gleichspannung: 100...
CCER470PF100V
[LONGDESCRIPTION]
CCER470PF100V
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.0683€ inkl. MwSt
(0.0569€ exkl. MwSt)
0.0683€

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :
Per E-Mail
Verkaufsbedingungen

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Abonnieren Sie den Newsletter

Ich stimme dem Empfang von E-Mails zu und verstehe, dass ich mich nach der Registrierung jederzeit abmelden kann.

Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.