Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD136-16

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD136-16
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD136-16. NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller Inchange Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.

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BD140-16

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD140-16. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 12.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD139-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V
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