Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V - BU2525DX

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V - BU2525DX
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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V - BU2525DX. NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P(H)IS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 145pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.35us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Originalprodukt vom Hersteller Inchange Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 06:25.

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BU2527DX

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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF ...
BU2527DX
NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re (F). Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V
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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re (F). Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V
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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Widerstand: ja. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High-Speed. Maximaler hFE-Gewinn: 11. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Ic(Impuls): 36A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5696. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Widerstand: ja. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High-Speed. Maximaler hFE-Gewinn: 11. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Ic(Impuls): 36A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5696. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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