Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BU2525DX. Kosten): 145pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.35us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P(H)IS. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.

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