BUZ72A
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.74€ | 2.09€ |
| 5 - 9 | 1.65€ | 1.98€ |
| 10 - 24 | 1.57€ | 1.88€ |
| 25 - 49 | 1.48€ | 1.78€ |
| 50 - 99 | 1.44€ | 1.73€ |
| 100 - 249 | 1.41€ | 1.69€ |
| 250+ | 1.34€ | 1.61€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.74€ | 2.09€ |
| 5 - 9 | 1.65€ | 1.98€ |
| 10 - 24 | 1.57€ | 1.88€ |
| 25 - 49 | 1.48€ | 1.78€ |
| 50 - 99 | 1.44€ | 1.73€ |
| 100 - 249 | 1.41€ | 1.69€ |
| 250+ | 1.34€ | 1.61€ |
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
BUZ72A. C(in): 330pF. Kosten): 90pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.
Gleichwertige Produkte :
FQP13N10
C(in): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr...
C(in): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 72 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
C(in): 345pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 72 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 2.07g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 5 ns. Technologie: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
Wir empfehlen außerdem :
IRF520
C(in): 360pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diod...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRFZ44N
C(in): 1470pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Tr...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
STP80NF70
C(in): 2550pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
STP80NF06
C(in): 3850pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Ze...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
WPT-25GRAM
Betriebstemperatur: -50...+180°C. Hinweis: wärmeleitendes Silikonfett. Hinweis: Spritze. Hinweis: ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
STP55NF06
C(in): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2SC2166
Halbleitermaterial: Silizium. FT: 27 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 6W. Montage...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
STD10P6F6
C(in): 340pF. Kosten): 40pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
FRN01WK0101A10
Widerstand: 100 Ohms. Leistung: 1W. Widerstandstyp: Sicherungswiderstand. Temperaturstabilität: 350...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.