Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

BY500-600

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BY500-600. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D5.4x7.5mm. Gehäuse (JEDEC-Standard): Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 5A. Ifsm [A]: 220A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 600V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 200 ns. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.3V @ 5A. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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BY500-1000

BY500-1000

Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halb...
BY500-1000
Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funkt...
BY500-800
Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 220A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 220A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: FAST RECOVERY RECTIFIER. Hinweis: IFSM--200Ap/8.3mS. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V
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Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: FAST RECOVERY RECTIFIER. Hinweis: IFSM--200Ap/8.3mS. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V
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