Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BY550-400

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BY550-400. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.

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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 20uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS
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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS
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