Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BY550-600

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BY550-600. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Originalprodukt vom Hersteller Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 01:25.

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BY550-1000

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Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon Rectifiers. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon Rectifiers. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V
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