FET- und MOSFET-Transistoren

P-Kanal-Transistor, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 620pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 54ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 68W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -19A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F9Z34NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 620pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 68W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 270pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: FET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.8A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, 1.1A, DIP-4, -60V. Maximaler Drainstrom: 1.1A. Gehäuse: DIP-4. Drain-Source-Spannung (Vds): -60V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms

P-Kanal-Transistor, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: P. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 13A. ID (T=100°C): 1.1A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, HD-1, -60V, -1.6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: HD-1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD9024PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 570pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.7A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 82 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 5.6A. ID (T=100°C): 0.49A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1.2 Ohms. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD9110PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.1A. IDSS (max): 0.1A. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 0.6A. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, DIP4, -100V, -1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD9120PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 390pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 0.56A, 0.56A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. ID (T=25°C): 0.56A. IDSS (max): 0.56A. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: FET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. ID (T=100°C): 0.34A. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, HD-1, -200V, -0.56A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: HD-1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: IRFD9220PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 340pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220AB, -100V, -11A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFI9540GPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 24 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 4.3A, 4.3A, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 4.3A. IDSS (max): 4.3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 2.7A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.8 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 28ns

P-Kanal-Transistor, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 4.1A. IDSS (max): 4.1A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 2.6A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 34ns

P-Kanal-Transistor, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.5A. IDSS (max): 1.5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 0.96A. Hinweis: b47kaa. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, -60V, -0.18A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FE. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9.6 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 270pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.1A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 200pF. Kosten): 94pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.69A. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, -100V, -1.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=25°C): 23A. IDSS (max): 250mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1300pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. IDss (min): 25mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 51 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, -100V, -23A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP9140NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 140W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, -100V, -21A, 180W. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 180W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP9140PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

P-Kanal-Transistor, 12A, 500uA, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.57 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) IRFP240. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

P-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, -200V, -12A, 150W. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 150W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP9240PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

P-Kanal-Transistor, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1200pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 71ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFR5305. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS