IGBT-Transistoren

IGBT transistor. C(in): 9830pF. Kosten): 570pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT für 20-50-kHz-Schaltung. Kollektorstrom: 310A. Ic(Impuls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IXYK140N90C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1630W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 145 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 900V. Gate/Emitter-Spannung VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SGH80N60UF. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 80A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 195W. Maximaler Kollektorstrom (A): 220A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 122 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SGW25N120. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 46A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 990 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 313W. Maximaler Kollektorstrom (A): 84A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G30N60. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 53 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 389 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 122 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): Kunststoffrohr. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V

IGBT transistor. C(in): 2870pF. Kosten): 295pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Kollektorstrom: 70A. Ic(Impuls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW20NC60KD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

IGBT transistor. C(in): 8000pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW60V60DF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 375W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Gehäuse: TO-247. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS