IGBT-Transistoren

IGBT transistor. C(in): 2870pF. Kosten): 295pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 70A. Ic(Impuls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW20NC60KD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

IGBT transistor. C(in): 8000pF. Kosten): 280pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW60V60DF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 375W. RoHS: ja. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 216 ns. Td(on): 57 ns. Gehäuse: TO-247. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V