IGBT-Transistoren

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC30KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 28A. Maximaler Kollektorstrom (A): 58A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 160 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC30S. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 34A. Maximaler Kollektorstrom (A): 68A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 22 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 540 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC30UD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 23A. Maximaler Kollektorstrom (A): 92A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 40 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 91 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC40KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 42A. Maximaler Kollektorstrom (A): 84A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 53 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC40K. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 42A. Maximaler Kollektorstrom (A): 84A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 140 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC40UD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 54 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC40W. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Maximaler Kollektorstrom (A): 160A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC50FD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Maximaler Kollektorstrom (A): 280A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 55 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 240 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC50F. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Maximaler Kollektorstrom (A): 280A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 31 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 240 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PC50KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 52A. Maximaler Kollektorstrom (A): 104A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 63 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PF50W. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 900V. Kollektorstrom Ic [A]: 51A. Maximaler Kollektorstrom (A): 204A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 29 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PH20KD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 11A. Maximaler Kollektorstrom (A): 22A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PH40K. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 30A. Maximaler Kollektorstrom (A): 60A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 200 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PH40UD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Maximaler Kollektorstrom (A): 82A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 46 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. C(in): 825pF. Kosten): 150pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Germaniumdiode: ja. Kollektorstrom: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Hinweis: > 6KV ESD Gate Protection. Hinweis: integrierte Widerstände R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GB14C40L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 1.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 2.2V

IGBT transistor. C(in): 3025pF. Kosten): 245pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 90A. Ic(Impuls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 39N60BD1. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 76A. Maximaler Kollektorstrom (A): 152A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 500 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. C(in): 760pF. Kosten): 220pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 480A. Ic(Impuls): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1630W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 226 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Gate/Emitter-Spannung VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

IGBT transistor. C(in): 9830pF. Kosten): 570pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT für 20-50-kHz-Schaltung. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 310A. Ic(Impuls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IXYK140N90C3. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1630W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 145 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 900V. Gate/Emitter-Spannung VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3PN. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SGH80N60UF. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 80A. Maximaler Kollektorstrom (A): 220A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 195W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 122 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: SGW25N120. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 46A. Maximaler Kollektorstrom (A): 84A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 990 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 313W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G30N60. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 53 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 389 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): Kunststoffrohr. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 122 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V

IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C