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Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor BUT12AF NPN Transistor - n/a
Produktreferenz : BUT12AF
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 4.09 € | — |
| 100+Bestpreis | 3.75 € | -8% |
Technische Spezifikationen
5 Parameter| Parameter | Wert |
| Max. Vcbo Spannung | 1000 V |
| Max. Ic Strom | 10.0 A |
| Gehäuse | n/a |
| Typ | NPN |
Technische Produktbeschreibung (BUT12AF):
Der BUT12AF ist ein Hochleistungs-NPN-Transistor in einem n/a-Gehäuse. Ideal für universelle HF-Anwendungen und Hochfrequenzoszillatoren.<br><br>
