Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

IRF830APBF

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IRF830APBF. C(in): 620 ns. Kosten): 93 ns. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Temperatur: +105°C. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 00:25.

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