Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRFB4227

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IRFB4227. C(in): 4600pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP-Switch. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 19.7m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 670pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit:...
IRF530
C(in): 670pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 88W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 670pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 88W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 660pF. Kosten): 86pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 610pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 320 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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