Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MJE15030

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MJE15030. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 150V. Leistung: 50W. Max Frequenz: 30MHz. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031G
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