Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MJL21195. C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21196. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 07:25.

Technische Dokumentation

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Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Transistortyp: PNP. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ21196. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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