N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 40A, 51A, 51A, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. IDSS (max): 51A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: FastSwitch. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 100V, 40A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP3710PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 58 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.021 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 4600pF. Kosten): 460pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 260A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.038 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Gewicht: 5.8g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.049 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 300V. C(in): 7370pF. Kosten): 520pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 190A. IDss (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 430W. RoHS: ja. Spec info: Idm--190Ap.. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.029 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 5860pF. Kosten): 530pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP-Switch. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 230A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 360W. RoHS: ja. Spec info: Idm--230Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 100V, 195A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP4468PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 52 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 160 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 19860pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 520W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2600pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 540 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 92us. Td(on): 17us. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2200pF. Kosten): 320pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 580us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra low Gate Charger. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 14A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP450LCPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 14A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP450PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 92 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. ID (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0048 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 10470pF. Kosten): 977pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 171A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 517W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 47 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 4200pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Gehäuse: TO-247. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. RoHS: ja. C(in): 3100pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 13A, 20A, 10uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 3940pF. Kosten): 152pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 437ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 62A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 278W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 117 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: D Series Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 12A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.27 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 3600pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: schnelles Schalten, extrem niedrige Gate-Ladung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 20A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP460LCPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3600pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 500V, 20A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP460PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. IDSS: 0.1mA. IDSS (max): 130A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen. Id(imp): 520A. Pd (Verlustleistung, max): 520W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. IDSS: 250uA. IDSS (max): 72A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6160pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Power-MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 300A. IDss (min): 0.1uA. Hinweis: Hochfrequenz. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5.5V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 100V, 72A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 72A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP4710PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 45A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 35 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 190W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1070pF. Kosten): 6040pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 380A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 580W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 200V, 94A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP90N20DPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 580W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.6 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 2700pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 88 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.58 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 2100pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 25uA-. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 33 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V