N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 55V, 1.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FL014N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 1.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 190pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 60V, 2.7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FA. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 13 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 400pF. Kosten): 145pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 11.2A. IDss (min): 25uA. Äquivalente: IRFL024NPBF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 22.2 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 55V, 2.8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FL024N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 100V, 1.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FL110. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.9ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 0.6A. ID (T=25°C): 0.96A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Kosten): 53pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 7.7A. IDss (min): 25uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code FC. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FC. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 200V, 0.96A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.96A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FC. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 14 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 140pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 55V. RoHS: ja. C(in): 660pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 30A. IDss (min): 25uA. IGF: 660pF. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 100V, 1.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FL4310. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 34 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 330pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 55V, 53A, 1, TO-247, TO-247AC, 55V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 1. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP044N. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1500pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET

N-Kanal-Transistor, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 2400pF. Kosten): 1300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 290A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 210 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 1900pF. Kosten): 620pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 94 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 210A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 4500pF. Kosten): 2000pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 360A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 83 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.012 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2900pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 81 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 290A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 4000pF. Kosten): 1300pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 390A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, -20V, 55V, 110A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): -20V. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP064NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 60V, 70A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP064PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 21 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 7400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.077 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1700pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) IRFP9140. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Leistung: 180W. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0042 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 5600pF. Kosten): 1310pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 640A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Td(off): 140 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Leistung: 310W. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 31A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.51 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 131W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET

N-Kanal-Transistor, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.052 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 2800pF. Kosten): 1100pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFP150. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.36 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1900pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 140A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 100V, 42A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP150NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AC, 100V, 42A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFP150PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C