N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 38m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Klasse-D-Audioverstärker 300 W–500 W (Halbbrücke). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 3430pF. Kosten): 530pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS, Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB42N20D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 29 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.072 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 4820pF. Kosten): 340pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 390A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB4410ZPBF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 7670pF. Kosten): 540pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 550A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB4310. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 68 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 53A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6160pF. Kosten): 440pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 300A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB4710. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 75A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFB4710PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 35 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 41 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 51A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 2770pF. Kosten): 590pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler, Plasma-Display. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 230A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FB52N15D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 1750pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 140A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB5615PbF. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 144W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 250A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 7330pF. Kosten): 1095pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: BLDC-Motorantriebsanwendungen, batteriebetriebene Schaltkreise, DC/DC- und AC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1000A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 78 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 172A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 4730pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: BLDC-Motorantriebsanwendungen, batteriebetriebene Schaltkreise, DC/DC- und AC/DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 770A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 143W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 115 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V

N-Kanal-Transistor, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 530 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 37A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. IDSS (max): 8.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 650V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 660pF. Kosten): 86pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 14A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 510pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 14A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 74W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 25A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 600V, 6.2A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFBC40PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 55 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1300pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 480 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 82 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 800V, 4.1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFBE30PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 82 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1300pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 8 Ohms. Gehäuse: TO-262 ( I2-PAK ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-262. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 490pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 350 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 6.8A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 54W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 56 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 900V, 3.6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFBF30PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 1000V. C(in): 980pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 410 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 12A. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 89 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 1 kV, 3.1A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRFBG30PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 89 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 980pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 310pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: FET. Funktion: td(on) 10ns, td(off) 13ns. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 14A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 640pF. Kosten): 360pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 88 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 4. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 60V, DIP4, 60V, 2.5A. Vdss (Drain-Source-Spannung): 60V. Gehäuse: DIP4. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 2.5A. Gate/Source-Spannung Vgs: 100m Ohms / 1.5A / 10V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Max: 1.3W. Montageart: THT. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C