N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1600pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 58A. IDss (min): 12uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52 ns. Td(on): 8.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 13A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7413. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1800pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1210pF. Kosten): 270pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 95. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem niedrige Gate-Impedanz. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 100A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11 ns. Td(on): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-Kanal-Transistor, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.006 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 3480pF. Kosten): 870pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 51 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: V-MOS. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.6V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 15A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7455. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3480pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 40V, 9.4A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7468. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2460pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 6.6A, 8.3A, 150uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Integrierter Schaltkreis für DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 66A. IDss (min): 30uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 6.6A, 8.3A, 100uA, 0.017 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Integrierter Schaltkreis für DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 66A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11 ns. Td(on): 6.3 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, 8.7A, 11A, 150uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 31us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Integrierter Schaltkreis für DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 88A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 10 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 10.8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7811. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1801pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 13.6A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7821. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9.7 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1010pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +155°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 21A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7831. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.35V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 17 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6240pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 20A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7831. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 20A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.32V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4310pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +155°C

N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 12m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3850pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 260W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 12m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 12m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3850pF. Kosten): 480pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 99 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenz-DC-DC-Wandler. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 320A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 260W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 1.6A, 2.5A, 250uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 360pF. Kosten): 92pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 260 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 8A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 33 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 500V, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF820PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 33 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 360pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 610pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 320 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 18A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 74W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 42 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 620 ns. Kosten): 93 ns. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Temperatur: +105°C. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 500V, 4.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF830PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.2 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 610pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1300pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 422 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 500V, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF840APBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1018pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 1018pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 422 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 500V, 8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF840ASPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 26 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1018pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C