N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 74W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. IDSS (max): 8.1A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.348 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 250V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 74W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1300pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1160pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 167 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 150W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF640NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F640NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1160pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 0.18 Ohms, TO-220, 200V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 18A. Leistung: 125W

N-Kanal-Transistor, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 8.5A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 1300pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 5.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Spannung Vds(max): 100V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Technologie: DirectFET POWER MOSFET. Menge pro Karton: 1. Hinweis: isometrisch

N-Kanal-Transistor, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 170pF. Kosten): 34pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 6A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 20V, 3.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7101. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 24 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 320pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3A, SO, SO-8, 50V. ID (T=25°C): 3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 50V. Kanaltyp: N. Funktion: 2xN-CH 50V. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Menge pro Karton: 2. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 50V, 3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7103. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 290pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, TO-220AB, 400V, 2A, 3.6 Ohms, 400V. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Drain-Source-Spannung (Vds): 400V. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF710PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 170pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 2A. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 7.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7201. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 550pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 400V, 3.3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF720PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 410pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 700pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 22A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 20V, 4.1A/4.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7301. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 660pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 4.9A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: 0.05R. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Menge pro Karton: 2

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 4.9A/4.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7303. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 520pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7309. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 22/25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 520/440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.4W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 400V, 5.5A, 75W. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 75W. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF730PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 38 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Menge pro Karton: 2

N-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Äquivalente: IRF7313PBF. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Menge pro Karton: 2

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F7313. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 39 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C