N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F2807S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3820pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 230W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. IDSS (max): 260A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 290W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 6320pF. Kosten): 1980pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 7500pF. Kosten): 970pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 41 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRF2907Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 180A. IDSS (max): 180A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Spannung Vds(max): 75V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3247pF. Kosten): 781pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Fortschrittliche Prozesstechnologie“. Id(imp): 390A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 55V, 98A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF3205PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3247pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250nA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3247pF. Kosten): 781pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Fortschrittliche Prozesstechnologie“. Id(imp): 390A. IDss (min): 25nA. Äquivalente: IRF3205SPBF. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F3205S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3247pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.9m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3450pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Fortschrittliche Prozesstechnologie“. Id(imp): 440A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.0049 Ohm, TO-220AB, 55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0049 Ohm. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 75A. Leistung: 170W

N-Kanal-Transistor, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 1300pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 174 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 108A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 136W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 43A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0042 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. C(in): 2400pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 260 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 150A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.042 Ohms, TO-220, 150V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 150V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 43A. Leistung: 130W

N-Kanal-Transistor, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 23m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3230pF. Kosten): 420pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 57A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF3710PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3130pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F3710S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3130pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 69A, 110A, 110A, 0.047 Ohms, TO-220, TO-220AB, 20V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 110A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.047 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 20V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 17ns

N-Kanal-Transistor, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.7M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 20V. C(in): 2980pF. Kosten): 1770pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochfrequenzisolierter DC-DC. Id(imp): 440A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 17 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0048 Ohm. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 20V. C(in): 2150pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Synchroner Hochfrequenz-Abwärtswandler. Id(imp): 380A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 79W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0059 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 5310pF. Kosten): 890pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 93 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRF3808. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 68 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. ID (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204A ). Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2700pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1600 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Repetitive Avalanche Ratings. Id(imp): 48A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 5.6A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 180pF. Kosten): 81pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 100V, 5.6A, 0.54 Ohms, TO-220, 100V. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Herstellerkennzeichnung: IRF510PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 43W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 5.6A. Leistung: 43W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C