N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, TO-247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. C(in): 1500pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Inductive?cooking. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20R1353. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 405 ns. Td(on): 335 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. C(in): 1360pF. Kosten): 43pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Funktion: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20PR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 288W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 235 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 1460pF. Kosten): 78pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Soft Switching Applications. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20T120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 178W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 2589pF. Kosten): 77pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 90A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30R1202. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 390W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 792 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktives Kochen, Soft-Switching-Anwendungen. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, PG-TO247-3, 1350V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1350V. C(in): 1810pF. Kosten): 50pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 90A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H30PR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 310 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Funktion: Induktives Kochen, Mikrowellenherde. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, Andere, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kanaltyp: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 30A. Hinweis: Dreiphasen-Wechselstrommotortreiber. Frequenz: 20kHz. Äquivalente: Samsung--DC13-00253A. Anzahl der Terminals: 24. Pd (Verlustleistung, max): 27.4W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 800 ns. Td(on): 560 ns. Technologie: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.55V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 15A, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Ic(T=100°C): 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 860pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT in NPT-Technologie. Kollektorstrom: 15A. Ic(Impuls): 45A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K15T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 188 ns. Td(on): 17 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 25A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 1860pF. Kosten): 96pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Kollektorstrom: 50A. Ic(Impuls): 75A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K25T120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 560 ns. Td(on): 50 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.7V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 1630pF. Kosten): 107pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 117 ns. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K30H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 187W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 207 ns. Td(on): 21 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247N. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 2330pF. Kosten): 185pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 180A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K40H1203. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 483W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 290 ns. Td(on): 30 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 116pF. Kosten): 2960pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Diodenschwellenspannung: 1.65V. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 200A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K50H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 333W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 235 ns. Td(on): 23 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 50A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 50A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 3140pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 143 ns. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 150A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K50T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 333W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 299 ns. Td(on): 26 ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 4620pF. Kosten): 288pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 182 ns. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 225A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K75T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 428W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 330 ns. Td(on): 33 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4.6A, 7.3A, 10uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 440pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. IDss (min): 1uA. Hinweis: komplett isoliertes Gehäuse (2500VAC/60s). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6R600E6. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 28W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 3.6A, 5.7A, 50uA, 0.83 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3, 800V. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.83 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. IDss (min): 10uA. Hinweis: komplett isoliertes Gehäuse (2500VAC/60s). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8R1K0CE. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO263-7. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 214W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: OptiMOS Power. Betriebstemperatur: -55...+175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, 100V, 60.4k Ohms. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 128 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 840pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 313W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 1uA, 2.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 120ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4N03L02. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 136W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 62 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3400pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0607. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 61 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0608. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 215W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 7.6m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2360pF. Kosten): 610pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0609. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.8m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO252-3 ( DPAK ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 8000pF. Kosten): 1700pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 034N06N. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 63 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 50A, 50A, 100uA, 0.0058 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0058 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2400pF. Kosten): 920pF. Kanaltyp: N. Id(imp): 350A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 050N03L. Pd (Verlustleistung, max): 68W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 6.7 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 27uA. Einschaltwiderstand Rds On: 7.6m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1900pF. Kosten): 760pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: PN03L06. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 136W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. Gehäuse: TO-262 ( I2-PAK ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-262. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0608. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 215W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS