N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 6m Ohms, PG-SOT223. Einschaltwiderstand Rds On: 6m Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-SOT223. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Pd (Verlustleistung, max): 6.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -40...+150°C

N-Kanal-Transistor, 0.065 Ohms, TO-220AC. Einschaltwiderstand Rds On: 0.065 Ohms. Gehäuse: TO-220AC. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 33A. Leistung: 171W. Eingebaute Diode: ja

N-Kanal-Transistor, 0.018 Ohms, TO-247AC. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. Gehäuse: TO-247AC. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 106A. Leistung: 446W. Eingebaute Diode: ja

N-Kanal-Transistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): HexSense TO-220F-5. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 130pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 5. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 83A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 2800pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, extrem niedriger Einschaltwiderstand. Id(imp): 330A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.11 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3210pF. Kosten): 690pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 290A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Verwendet für: -55...+175°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 71A, 100A, 100A, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 71A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 100A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Vgs 20V. Pd (Verlustleistung, max): 170W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Extrem niedriger Einschaltwiderstand (Rds)

N-Kanal-Transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1900pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dynamisches dv/dt-Verhältnis, schnelle Umschaltung. Id(imp): 140A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 41A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 41A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF1310NPBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F1310NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. ID (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 24V. C(in): 5790pF. Kosten): 3440pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 46 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 7360pF. Kosten): 1680pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 71 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 40V, 202A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 202A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRF1404PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 121A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 46 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5669pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 333W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.7M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 4340pF. Kosten): 1030pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 220W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 40V, 162A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 162A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F1404S. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 72 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 7360pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.7M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 4340pF. Kosten): 1030pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 220W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 118A. ID (T=25°C): 169A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0046 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 5480pF. Kosten): 1210pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 88 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 55V, 169A, 0.0053 Ohms, TO-220, 55V. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 169A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0053 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Herstellerkennzeichnung: IRF1405PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5480pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 330W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 169A. Leistung: 150W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0037 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 4780pF. Kosten): 770pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 600A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0078 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 5600pF. Kosten): 890pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 0.0078 Ohms, TO-220, 75V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0078 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 75V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 130A. Leistung: 330W

N-Kanal-Transistor, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 6450pF. Kosten): 1690pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Automobilanwendungen. Id(imp): 1080A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.9M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 5110pF. Kosten): 1190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, Automobilanwendungen. Id(imp): 700A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 13m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. C(in): 3850pF. Kosten): 610pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 280A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 49 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 75V, 82A, 0.013 Ohms, TO-220, 75V. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 75V. Herstellerkennzeichnung: IRF2807PBF. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 49 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3820pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 230W. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 82A. Leistung: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C